- Деталі
- Перегляди: 6829
Gomeniuk Y.V., Lysenko V.S., Lozovski V.Z., Tyagulskii I.P. Physica C, v.214, No.1-2, p.127-132. (1993)
- Деталі
- Перегляди: 6604
Gomeniuk Y.V., Lysenko V.S., Lozovski V.Z., Tyagulskii I.P. Solid State Communications, v.85, No.7, p.643-646. (1993)
- Деталі
- Перегляди: 6771
Gomeniuk Y.V., Lysenko V.S., Osiyuk I.N., Tyagulskii I.P. Physica Stat. Solidi (a), , v.140, p.173-178. (1993)
- Деталі
- Перегляди: 6709
V. S. Lysenko, P. S. Kopev, A. N. Nazarov, G. A. Naumovets,V. B. Popov, A. S. Tkachenko, A. M. Vasiliev, and V. M. Ustinov, phys. stat. sol. (a) 139, 541-547 (1993)
- Деталі
- Перегляди: 6861
Lysenko V.S., Gomeniuk Y.V., Lozovski V.Z., Tyagulskii I.P., Varyukhin V.N. Physica C, v.235-240, p.2631-2632. (1994)
- Деталі
- Перегляди: 6538
Lysenko V.S., Gomeniuk Y.V., Lozovski V.Z., Osiyuk I.N., Tyagulski I.P., Varyukhin V.N.. Proc. of Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity, Reno, Nevada, 21-26 May (C.L.Claeys, S.I.Raider, R.K.Kirschman, W.D.Brown Eds.), The Electrochem. Soc. Inc., Pennington, p.148-154. (1995)
- Деталі
- Перегляди: 6578
V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulskii// Microelectronic Engineering, v.28, p.205-208 (1995)
- Деталі
- Перегляди: 8839
T.E. Rudenko, A.N. Rudenko, A.N. Nazarov and V. S. Lysenko, Microelectronic Engineering, vol. 28, pp. 475-478 (1995)
- Деталі
- Перегляди: 6506
Lysenko V.S., Gomeniuk Y.V., Tyagulskii I.P., Osiyuk I.N., Lozovski V.Z., Varyukhin V.N.. Journal de Physique IV, v.6, p.C3-271–C3-276. (1996)
- Деталі
- Перегляди: 6606
A.N.Nazarov, V.M. Pinchuk, T.V. Yanchuk, V.S. Lysenko, Modelling Simul. Mater. Sci. Eng., v.4. - N4. – P.323-333, (1996)
- Деталі
- Перегляди: 7074
T.E. Rudenko, V.I. Kilchitskaya, A.N.Rudenko, Microelectronic Engineering, v. 36, N(1-4), pp. 367-370. (1997)
- Деталі
- Перегляди: 7246
Lysenko V.S., Gomeniuk Y.V., Tyagulskii I.P., Osiyuk I.N., Lozovski V.Z., Varyukhin V.N. Physica C, v.281, No.4, p.303-309. (1997)
- Деталі
- Перегляди: 7070
I.P.Barchuk, V.I.Kilchitskaya, V.S.Lysenko, A.N.Nazarov, T.E.Rudenko, S.V.Djurenko, A.N.Rudenko, A.P.Yurchenko, D.Ballutaud and J.-P.Colinge, IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.44, N6, pp.2542-2552, (1997)
- Деталі
- Перегляди: 6665
A.N. Nazarov, J.-P. Colinge and I.P. Barchuk, Microelectronic Engineering, vol.36, pp.363-366, (1997)
- Деталі
- Перегляди: 6941
A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, and A. N. Nazarov, , Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 1, N 1, P. 108-111 (1998)
- Деталі
- Перегляди: 6687
V. S. Lysenko, T. E. Rudenko, A. N. Nazarov, V. I. Kilchitskaya, A. N. Rudenko, A. B. Limanov, J.-P. Colinge, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 1, N 1, P. 101-107 (1998)
- Деталі
- Перегляди: 7193
Lysenko V.S., Tyagulski I.P., Lozovski V.Z., Gomeniuk Y.V., Osiyuk I.N., Varyukhin V.N. Journal de Physique IV, v.8, p. Pr3-305–Pr.3-308. (1998)
- Деталі
- Перегляди: 6759
V.S. Lysenko, I.P. Tyagulskii, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk, C.J. Patel, O. Nur, M. Willander// Journal de Physique IV, v.8, p. Pr. 3-87–Pr. 3-90 (1998)
- Деталі
- Перегляди: 6740
A.N.Nazarov, V.M. Pinchuk, T.V. Yanchuk, V.S. Lysenko and S. Ashok, Phys. Rev. B, V. 58, N7, P. 3522-3525 (1998)
- Деталі
- Перегляди: 6632
Lysenko V.S., Tyagulski I.P., Gomeniuk Y.V., Osiyuk I.N. and Tkach I.I. J. Phys. D: Appl. Phys., v.31, No.13, p. 1499-1503. (1998)
- Деталі
- Перегляди: 7066
Gomeniuk Y.V., Lysenko V.S., Osiyuk I.N., Tyagulski I.P., Valakh M.Ya., Yukhimchuk V.A., Willander M., Patel C.J. Semicond. Phys., Quantum Electronics and Optoelectronics, v. 2, No.3, p. 74-80. (1999)
Більше статей...
- Electrical characterization of the amorphous SiC-pSi structure
- Evaluation of generation and recombination parameters of SOI MOS structures from gated-diode measurements
- Recombination current modeling and carrier lifetime extraction in dual-gate fully-depleted SOI devices
- A simple method for the evaluation of the recombination parameters in SiC MOS structures