Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
dep15
dep-15-before
Evaluation of generation and recombination parameters of SOI MOS structures from gated-diode measurements
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 7073
T. Rudenko, Electron Technology, v.32, N1/2, pp.110-115. (1999)