- Деталі
- Перегляди: 9265
Yukari Ishikawa, A. V. Vasin, J. Salonen, S. Muto, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, N. Shibata, V.-P. Lehto, Journal of Applied Physics, v.104, 083522-1-6, (2008)
- Деталі
- Перегляди: 9234
L. Rebohle, J. Lehmann, S. Prucnal, A. Kanjilal, A. Nazarov, I. Tyagulskii, W. Skorupa, and M. Helm, Applied Physical Letters, V.94, P.071908-1-071908-3, (2008)
- Деталі
- Перегляди: 9435
L. Rebohle, J. Lehmann, S. Prucnal, A. Nazarov, I. Tyagulskii, S. Tyagulskii, A. Kanjilal, M. Voelskow, D. Grambole, W. Skorupa, and M. Helm, J. Appl. Phys., V. 106, 123103-1-10 (2009)
- Деталі
- Перегляди: 8091
A.N.Nazarov, I.P.Tyagulskyy, S.I.Tyagulskiy, L.Rebohle, W.Skorupa, J.Biskupek, U.Kaiser, Physica E 41, 902–906 (2009)
- Деталі
- Перегляди: 7155
A.V. Vasin, Y. Ishikawa, S.P. Kolesnik, A.A. Konchits, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, G.Yu. Rudko, Solid State Sciences, Volume 11, Issue 10 Pages 1833-1837 (2009)
- Деталі
- Перегляди: 7270
Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, H.J. Osten, and A. Laha, ECS Transactions, 25 (6) 353-358 (2009)
- Деталі
- Перегляди: 7416
L. Rebohle, J. Lehmann, A. Kanjilal, S. Prucnal, A. Nazarov, I. Tyagulskii, W. Skorupa, M. Helm, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 267, N8-9, 1217–1221 (2009)
- Деталі
- Перегляди: 7133
Gomeniuk Y.Y., Gomeniuk Y.V., Nazarov A.N., Hurley P.K., Cherkaoui, K. Monaghan S., Gottlob H.D.B., Schmidt M., Schubert J., Lopes J.M.J., and. Engström O. ECS Transactions, vol.33, issue 3, p.221-227. (2010)
- Деталі
- Перегляди: 6914
T. Rudenko, V. Kilchytska, S. Burignat, J.–P. Raskin, F. Andrieu, O. Faynot, Y. Le Tiec, K. Landry, A. Nazarov, V. S. Lysenko and D. Flandre, Solid-State Electronics vol.54, N2, pp. 164-170. (2010)
- Деталі
- Перегляди: 7175
D. Flandre, V. Kilchytska, and T. Rudenko, , IEEE Electron Device Letters, vol.31, No.9, pp. 930-932. (2010)
- Деталі
- Перегляди: 7255
Kalabukhova E. N. Lukin S. N. Savchenko D. V. Shanina B. D. Vasin A. V. Lysenko V. S. Nazarov A. N. Rusavsky A. V. Hoentsch J. Koshka Y., Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics)v. 81(15) pp. 155319 - 155319-9 (2010)
- Деталі
- Перегляди: 7059
A.N. Nazarov, S.I. Tiagulskyi, I.P. Tyagulskyy, V.S. Lysenko, L. Rebohle, J. Lehmann, S. Prucnal, M. Voelskow, and W. Skorupa, J. Appl. Phys. V. 107, 123112-1-14 (2010)
- Деталі
- Перегляди: 7358
Chi-Woo Lee, Alexei N. Nazarov, Isabelle Ferain, Nima Dehdashti Akhavan, Ran Yan, Pedram Razavi, Ran Yu, Rodrigo T. Doria, and Jean-Pierre Colinge, , Appl. Phys. Lett., V.96, 102106 (2010)
- Деталі
- Перегляди: 7094
Jean-Pierre Colinge, Chi-Woo Lee, Isabelle Ferain, Nima Dehdashti Akhavan, Ran Yan, Pedram Razavi, Ran Yu, Alexei N. Nazarov, and Rodrigo T. Doria, , Appl. Phys. Lett., V.96, 073510 (2010)
- Деталі
- Перегляди: 7400
- Деталі
- Перегляди: 7141
A.N. Nazarov, I. Ferain, N.D. Akhavan, P. Razavi, R. Yu, and J. P. Colinge. Applied Physics Letters, V.99, P. 073502-1-3, (2011)
- Деталі
- Перегляди: 7067
T. Rudenko, V. Kilchytska, M. K. Md Arshad, J.-P. Raskin, A. Nazarov, and D. Flandre, V.58, N 12, P. 4180-4188, (2011)
- Деталі
- Перегляди: 8970
A.V. Vasin, Sh. Muto, Yu. Ishikawa, A.V. Rusavsky, T. Kimura, V.S. Lysenko, and A.N. Nazarov. Thin Solid Films, V.519, No.7, P. 2218–222, (2011)
- Деталі
- Перегляди: 9557
Lysenko V.S., Gomeniuk Yu.V., Strelchuk V.V., Nikolenko A.S., Kondratenko S.V., Kozyrev Yu.N., Rubezhanska M.Yu., and Teichert C. Phys. Rev. B, v. 84, No.11, p.115425-1–115425-9. (2011)
- Деталі
- Перегляди: 7194
Lysenko V.S., Gomeniuk Yu.V., Kozyrev Yu.N., Rubezhanska M.Yu., Skylar V.K., Kondratenko S.V., Melnichuk Ye.Ye., Teichert C., Adv. Mater. Res, vol. 276, p. 179-186. (2011)
- Деталі
- Перегляди: 7529
S.O. Gordienko, A.N. Nazarov, A.V. Rusavsky, A.V. Vasin, N. Rymarenko, V.G. Stepanov, T.M. Nazarova, V.S. Lysenko, Advanced Materials Research, Vol. 276, pp 21-25 (2011)
Більше статей...
- Interface and Bulk Properties of High-k Gadolinium and Neodymium Oxides on Silicon
- Influence of oxidation temperature on photoluminescence and electrical properties of amorphous thin film SiC:H:O+Tb
- Transport and interface states in high-k LaSiOx dielectric
- Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements