- Details
- Hits: 14358
Нагороди
Державні премії УРСР та СРСР
| 1970 рік |
| за роботу "Електронні явища на поверхні напівпровідників" |
|
В.Г. Литовченко, В.И. Ляшенко, И.С. Степко
|
| 1973 рік |
| за роботу "Фізико-технічні і прикладні розробки основ некогерентної оптоелектроніки" |
|
С.В. Свєчніков, Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, А.К. Смовж, О.М. Зюганов
|
| 1974 рік |
| за роботу "Розробка фізичних основ керування частотою вимушеного випромінювання і створення комплексу лазерів з частотою, що перестроюється" |
|
М.І. Витрихівський
|
| 1981 рік |
| за роботу "Комплексне дослідження оптичних і фотоелектричних властивостей напівпровідникових сполук елементів другої та шостої груп періодичної системи" |
|
В.Є. Лашкарьов, М.П. Лисиця, С.І. Пекар, О.В. Снітко, І.Б. Мізецька, Є.А. Сальков, Г.А. Федорус,
|
| 1983 рік |
| за роботу "Розробка нових технологій" |
|
Г.Є.Богославський, Ф.М. Воробкало, Л.Й. Зарубін, В.К. Малютенко, О.Г Міселюк, І.Ю. Неміш,
|
| 1983 рік |
| за роботу "Розробка та дослідження матеріалів і структур електронної техніки" |
|
К.Д. Глинчук, Л.І. Даценко, С.В. Свєчніков, Ю.О. Тхорик
|
| 1983 рік |
| за роботу "Фізичні основи керування властивостями матеріалів і приладів твердотільної електроніки під дією радіації" |
|
О.А. Бугай,Н.О. Корсунська
|
| 1984 рік |
| за роботу "Розробка та освоєння нових радіоелектронних приладів" |
|
М.К. Шейнкман
|
| 1984 рік |
| За роботу в галузі радіоелектроніки |
|
М.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова, B.C. Лисенко, А.В. Прохорович, В.І. Файнберг
|
| 1986 рік |
| за роботу "Розробка приладів некогерентної оптоелектроніки з високими техніко-економічними показниками, їх промислове освоєння і широке впровадження в народне господарство" |
|
С.В. Свєчніков
|
| 1986 рік |
| за роботу "Фізичні дослідження і метрика напівпровідникових твердих розчинів кадмій-ртуть-телур та свинець-олово-телур, спрямованих на освоєння їх промислового виробництва для ІЧ-фотоелектроніки" |
|
М.П. Лисиця, Є.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов, Г.А. Шепельський
|
| 1987 рік |
| за роботу "Розробка і впровадження елементів і пристроїв оптичної обробки інформації в ІЧ-діапазоні" |
|
В.К. Малютенко, С.С. Болгов, А.І. Ліптуга, Г.І. Тесленко, Є.І. Яблоновський
|
| 1987 рік |
| за роботу "Розробка фізичних основ міцності ковалентних кристалів і оптимізація на цій основі технологій виготовлення напівпровідникових структур мікроелектроніки" |
|
П.І. Баранський, Б.М. Романюк
|
| 1988 рік |
| за роботу "Фізичне обґрунтування і промислове освоєння діагностики технології напівпровідникових матеріалів АIIIВV, їх твердих розчинів та розробка функціональних пристроїв на їх основі" |
|
П.С. Смертенко, І.П.Тягульський
|
| 1988 рік |
| за роботу "Позитронні дослідження структури твердих тіл" |
|
О.Б. Любченко, В.В. Дякін
|
Державні премії України
| 1993 рік |
| за роботу "Комплексне дослідження фізичних властивостей карбіду кремнію і розробка на його основі напівпровідникових приладів, що працюють в екстремальних умовах" |
|
Л.Й. Бережинський, М.Я. Валах, Є.Ф. Венгер, С.І. Власкіна, О.Т. Сергєєв
|
| 1994 рік |
| за роботу "Рентгено-, опто-, акустичні явища в реальних кристалах при комбінованому впливі фізичних полів" |
|
Л.І. Даценко, В.І. Хрупа, В.Ф. Мачулін
|
| 1995 рік |
| За працю в галузі радіоелектроніки |
|
Р.В. Конакова, В.В. Міленін, І.В. Прокопенко, Ю.О. Тхорик
|
| 1995 рік |
| за роботу "Фізичні механізми деградації та шляхи підвищення надійності оптоелектронних приладів" |
|
М.К. Шейнкман, Д.В. Торчинська, Н.Б. Лук'янчикова, Г.С. Свєчніков |
| 1997 рік |
| за роботу "Процеси переносу заряду і маси та електронні кінетичні явища на поверхнях і у приповерх-невих шарах твердих тіл" |
|
В.Г Литовченко, Д.В. Корбутяк |
| 2001 рік |
| за роботу "Нові фізичні ефекти в сильно анізотропних напівпровідниках і приладах на їх основі" |
|
Ф.В. Моцний, A.M. Яремко, С.С. Іщенко
|
| 2003 рік |
| за роботу "Монокристали сапфіру: розробка високорентабельних технологій, освоєння промислового виробництва конкурентоздатних на світовому ринку сапфірових елементів для оптики, електроніки та медицини" |
|
В.Ф. Мачулін
|
| 2006 рік |
| За роботу в галузі радіоелектроніки |
|
О.Є. Бєляєв, В.О. Кочелап, О.М. Назаров, Т.О. Руденко, І.Б. Єрмолович
|
| 2007 рік |
| за роботу "Розробка і впровадження високоефектив-них технологій отримання напівпровідникових кристалічних матеріалів групи AIIBVI та виробів на їх основі для приладобудування" |
|
В.М. Томашик
|
| 2007 рік |
| За роботу в галузі створення новітніх матеріалів |
|
О.І. Власенко, А.П. Горбань, І.З. Індутний, В.П. Кладько, В.М. Комащенко
|
| 2011 рік |
| за роботу "Мікроелектронні датчики нового покоління для інтелектуальних систем" |
|
А.А. Євтух
|
| 2011 рік |
| За роботу по спецтематиці |
|
М.М. Локшин, В.П. Маслов, Г.С. Пекар, О.Ф.Сингаївський
|
| 2012 рік |
| за роботу "Ключові технології виробництва кремнієвих сонячних елементів та енергетичних систем на їх основі" |
|
М.І.Клюй, В.П. Костильов, А.В. Макаров, А.В. Саченко, О.Ю. Авксентьев
|
|
2012 рік |
|
за роботу “Проблемно-орієнтовані обчислювальні засоби обробки інформації в реальному часі” Авксєнтьєв О.Ю. |
|
2016 рік за роботу “Енергоефективні світлодіодні освітлювальні системи” |
|
2017 рік Юхимчук В.О., Джаган В.М., Тарасов Г.Г.
|
Премії НАН України
ПРЕМІЯ НАН УКРАЇНИ ім. К.Д.СИНЕЛЬНИКОВА
| 1984 рік |
| за роботу "Електровідбивання світла в напівпровідниках" |
|
О.В. Снітко, В.А. Тягай
|
| 1988 рік |
| за роботу "Перенос електронів і дірок біля поверхні напівпровідників" |
|
В.М. Добровольський, В.Г. Литовченко
|
| 1996 рік |
| за роботу "Поверхневі поляритони в напівпровідниках і діелектриках" |
|
М.Л. Дмитрук
|
ПРЕМІЯ НАН УКРАЇНИ ім. В.Є.ЛАШКАРЬОВА
| 1999 рік |
| за роботу "Дослідження нерівноважних та кінетичних явищ в актуальних для сучасної фотоелектроніки напівпровідниках (А2В6, А4В6 та поруваті Si-структури)" |
|
Є.А. Сальков, М.К. Шейнкман |
| за роботу "Фізичні механізми і роль дефектів в самоорганізації та бістабільності тонкоплівкових електролюмі-несцентних структур на основі напівпровідників AIIBVI" |
|
Н.А. Власенко, З.Л. Денисова, Я.Ф. Кононець |
|
2005 рік за роботу "Формування високостабільних контактних і поверхнево-бар'єрних структур в приладах високотемпературної НВЧ-електроніки на основі широкозонних напівпровідників" О.Є.Бєляєв, Р.В.Конакова, B.C. Лисенко |
|
2014 рік |
| за роботу "Фотоелектричні ефекти в нанорозмірних структурах, створених іонно-променевою технологією" |
|
В.Г. Литовченко, Б.М. Романюк, В.П. Мельник
|
|
2017 рік |
| за роботу "Визначення структурно-деформаційних ефектів і встановлення механізмів струмопереносу у тринітридних наноструктурах" |
|
В.О. Кочелап, В.П. Кладько, П.М. Литвин |
ПРЕМІЯ ПРЕЗИДЕНТІВ АКАДЕМІЙ НАУК УКРАЇНИ, БІЛОРУСІЇ І МОЛДОВИ
| 1996рік |
| за роботу "Напівпровід-никові надгратки з напруженими шарами: електронні і коливальні стани" |
|
Є.Ф. Венгер, М.Л. Дмитрук
|
| 1997 рік | |||||||
| за роботу "За видатні результати, отримані при виконанні спільного наукового дослідження «Технологія отримання, фізичні властивості та застосування напівпровідникових кристалічних сполук типу АIIВV»" |
|||||||
|
І.В. Фекешгазі
|
ПРЕМІЯ НАН УКРАЇНИ ім. С.О. ЛЕБЄДЄВА
|
2003рік за роботу "Розробка і створення компонентів, пристроїв і систем захисту і обробки інформації" B.C. Лисенко |
ПРЕМІЯ НАН УКРАЇНИ ім. Н.Д.МОРГУЛІСА
|
2013рік за роботу "Функціональні властивості та діагностика новітніх НВЧ приладів" О.Є. Бєляєв, Р.В. Конакова, А.В. Саченко |
ПРЕМІЯ НАН УКРАЇНИ ім. С.І.ПЕКАРЯ
|
2000 рік за роботу "Теорія електричних та оптичних явищ у квантових гетероструктурах" В.О. Кочелап, Ф.Т. Васько |
|
2006 рік Е.Й.Рашба, В.І.Шека |
|
2009 рік за роботу "Вплив спін-орбітальної та кулонівської взаємодій на властивості електронних систем" Е.М. Райчев |
|
20012рік за роботу "Теорія кореляційних та когерентних процесів у напівпровідникових гетероструктурах" В.Й. Піпа |
|
20015рік за роботу "Електронні та когерентні акустичні ефекти в низькорозмірних системах" Б.А. Главін
|