V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine
Search
Nav view search
Navigation
Home
Institute
Research divisions
Projects
Our design
Education
News
Journal
Mail
You are here:
Home
Our design
Publications
dep07
dep-07-before
Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в диапазоне температур 4.2 – 300К
Devices
Diagnostics
Technology
Services
Details
Hits: 6279
Саченко А.В., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Капитанчук Л.М., Шеремет В.М., Свешников Ю.Н., Пилипчук А.С. // Физика и техника полупроводников . - 2014, Т. 48. С. 1344 –1347