Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
dep07
dep-07-before
Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в диапазоне температур 4.2 – 300К
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 6281
Саченко А.В., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Капитанчук Л.М., Шеремет В.М., Свешников Ю.Н., Пилипчук А.С. // Физика и техника полупроводников . - 2014, Т. 48. С. 1344 –1347