Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-2016
Effect of ultrasound on reverse leakage current of silicon Schottky barrier structure
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 7536
Olikh O., Voitenko K., Burbelo R., Olikh Ja // Journal of Semiconductors - 2016 - V.37 - N12 - Р.122002-1 – 122002-7