 |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
Наукові відділи Publications dep02 dep-02-2016 An influence of the local strain on cathodoluminescence of GaN/AlxGa1−xN nanowire structuresAnna Reszka, Aleksandra Wierzbicka, Kamil Sobczak, Uwe Jahn, Ute Zeimer, Andrian V. Kuchuk, Agnieszka Pieniążek, Marta Sobanska, Kamil Klosek, Zbigniew R. Zytkiewicz, and Bogdan J. Kowalski. Journal of Applied Physics, V.120, 194304 (2016).
