Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-2015
High-resolution X-ray diffraction analysis of strain distribution in GaN nanowires on Si(111) substrate
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 7637
Stanchu H., Kladko V., Kuchuk A., Safriuk N., Belyaev A., Wierzbicka A., Sobanska M., Klosek K., Zytkiewicz Z.R. // Nanoscale Research Letters. – 2015, - V. 10,N2, - P.51-54