Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-before
Depth profiling of strain and carrier concentration by cleaved surface scanning of GaN Gunn-diode: confocal Raman microscopy
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 5893
Belyaev A.E., Strelchuk V.V., Nikolenko A.S., Romanyuk A.S., Mazur Yu.I., Ware M.E., DeCuir Jr E.A., Salamo G.J. // Semicond. Sci. Technol. – 2013. – V. 28, N.10. – p. 105011