Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-before
Modulation phenomena in Si nanowire FETs characterized using noise spectroscopy and gamma radiation technique
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 5286
Pud S., Vitusevich S.A., Li J., Petrychuk M., Feste S., Danilchenko B., Offenhäusser A., Mantl S. // Journal of Applied Physics.-2013.-V. 113.-P. 124503-1-10