 |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
Наукові відділи Publications dep02 dep-02-before Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrateV.P. Kladko, O.F. Kolomys, M.V. Slobodian, V.V. Strelchuk, V.G. Raycheva, O.Ye. Belyaev, S.S. Bukalov, H. Hardtdegen, V.A. Sydoruk, N. Klein and S.A. Vitusevich // Journal of Applied Physics, V.105. Issue 6. P.063515(9) (2009). http://dx.doi.org/10.1063/1.3094022
