 |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
Наукові відділи Publications dep02 dep-02-2017 Effect of well/barrier thickness ratio on strain relaxation in GaN/AlN superlattices grown on GaN/sapphire templateSerhii B. Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Yuriy. I. Mazur, Gregory J. Salamo, Shibin Li, Pavlo P. Kogutyuk, and Alexander E. Belyaev. // Journal of Vacuum Science & Technology B, V.35, Issue 6, 062902 (2017). http://dx.doi.org/10.1116/1.4999468
