Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
dep04
dep-04-before
Formation of shallow np junctions in Cz-Si by low-energy implantation of carbon ions
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 7668
Romanyuk B. et al. //ECS Transactions. – 2014.