Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Пошук

Деталі
Перегляди: 7983

Романюк Б. Н. и др. //Физика и техника полупроводников 2010

Деталі
Перегляди: 7989

Romanyuk B.N. et al.//Semiconductors 2010

Деталі
Перегляди: 7790

Romanyuk A. et al //Journal of luminescence 2010

Деталі
Перегляди: 7761

Melnik V.P. et al. //Ukrainian journal of Physics 2011

Деталі
Перегляди: 7818

Bunak S.V. et al.//Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics 2011

Деталі
Перегляди: 21030

Litovchenko V.G. et al // Solid State Phenomena Vol. 178 2011

Деталі
Перегляди: 21172

Б.М. Романюк, В.П. Мельник, І.М. Хацевич, Ю.В. Голтвянський, В.А. Нікірін, В.Г. Попов, О.Й. Гудименко, О.С. Оберемок.

Деталі
Перегляди: 21094

В.Г. Литовченко, Б.М. Романюк, В.Г. Попов, В.П. Мельник, О.С. Оберемок, В.П. Кладько, І.П. Лісовський, В.В. Стрельчук, В.В. Черненко, В.О. Шаповалов // Металофізика та новітні технології, 2011, т.33, №7. - С. 873-898.

Деталі
Перегляди: 20952

Sarikov, Andrey V., et al. // Advanced Materials Research. Vol. 276. Trans Tech Publications, 2011.

Деталі
Перегляди: 7967

O. Korotchenkov, A.Podolian, B.Romanyuk, V.Melnik et al.// Journal of Applied Physics 2012

Деталі
Перегляди: 7474

Nikirin V.A., et al. // Materials Letters 68 2012

Деталі
Перегляди: 7548

Gamov, D. V., et al. // Ukrainian Journal of Physics, 2013. Vol. 58, No. 9.– 2013.

Деталі
Перегляди: 7552

Trunov, M. L., et al. // SEMICONDUCTOR PHYSICS QUANTUM ELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS 16.4 : 354-361.– 2013.

Деталі
Перегляди: 7366

Ю.М. Голтвянський, Є.Ф. Венгер, І.М. Хацевич, В.А. Нікірін, М.М. Мусаєв, О.С. Оберемок, В.П. Кладько, А.В.Кучук; власник Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова; заявл. 28.01.2013; опублік. 10.09.2013, Бюл. № 17.– 2013.

Деталі
Перегляди: 7488

В.П. Мельник, В.К. Малютенко, І.М. Хацевич, О.Ю. Малютенко, В.В. Богатиренко, В.А. Нікірін, Д.В. Гамов, О.І. Кирюша; власник Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова; заявл. 11.09.2012; опублік. 10.04.2013, Бюл. № 7.– 2013.

Деталі
Перегляди: 7420

Korsunska, Nadiia, et al. // Nanoscale research letters8.1– 2013.

Деталі
Перегляди: 7646

Першин Ю. П. и др. // Металлофизика и новейшие технологии. – 2013.

Деталі
Перегляди: 7338

Goltvyanskyi, Yu, et al. // Thin Solid Films564 – 2014.

Деталі
Перегляди: 7692

Kladko, V. P., et al. //Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics17, № 4 – 2014.

Деталі
Перегляди: 7478

Oberemok O. et al. //Semiconductor Science and Technology. – 2014.

Деталі
Перегляди: 7498

Oberemok O. et al.// Physica Status Solidi (c). – 2014.

Більше статей...

  1. Structural and electrical properties of oxygen complexes in Cz and FZ silicon crystals implanted with carbon ions
  2. Formation of shallow np junctions in Cz-Si by low-energy implantation of carbon ions
  3. Peculiarities of the Impurity Redistribution under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon
  4. Formation of shallow np junctions in Cz-Si by low-energy implantation of carbon ions.