Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
dep02
dep-02-before
On the effect of a dopant on the formation of disordered regions in GaAs under irradiation with fast neutrons
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 5998
V.P. Kladko, S.V. Plyatsko
//
Semiconductors
, V.
32
(3), P.235-237, (1998).