Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

 

Lashkarev40

 

       

 Академик АН УССР

Вадим Евгеньевич Лашкарёв

(7.10.1903 - 1.12.1974)

7 октября 2003 года исполнилось 100 лет со дня рождения академика АН УССР Вадима Евгеньевича Лашкарёва — выдающегося ученого, организатора и первого директора Института физики полупроводников Национальной Академии наук Украины. Сейчас Институт носит имя Вадима Евгеньевича.
         В. Е. Лашкарёв родился в 1903 году в Киеве в семье юриста. Его отец, Евгений Иванович, до революции был прокурором Киевской судебной палаты.
       Среди предшествующих поколений Лашкарёвых — крупная фигура российской дипломатии 18 века — Сергей Лазаревич Лашкарёв, предки которого вышли из старинного рода грузинских дворян — Лашкаришвили. Много веков ранее они приехали в Россию вместе с царем Вахтангом.
    Заслуги Сергея Лазаревича как дипломата, убедившего крымского хана Шагин-Гирея отречься от покровительства Османской империи и присоединиться к России, были высоко оценены Екатериной II. Среди потомков Сергея Лазаревича Лашкарёва - известные государственные деятели,журналисты, ученые.      Среди дальних родственников Вадима Евгеньевича по линии отца — выдающийся авиаконструктор Игорь Иванович Сикорский.     После окончания Киевского института народного просвещения (так тогда назывался Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко) Вадим Евгеньевич учился в аспирантуре научно-исследовательской кафедры физики Киевского политехнического института (1924-27 гг.) одновременно работая там преподавателем, а потом доцентом. Его исследования были посвящены физике рентгеновского излучения и разработке аппаратуры для рентгеноструктурного анализа. В частности, он разработал оригинальный метод определения коэффициента преломления рентгеновских лучей. Способности В.Е. Лашкарёва как теоретика сыграли огромную роль в его дальнейшем научном творчестве. Они проявились уже тогда, когда он опубликовал свои первые теоретические работы о движении материи и света в гравитационном поле.

       Названия работ В.Е. Лашкарёва 20-х годов — «К теории гравитации», «К теории движения материи и света в гравитационном поле», «Вывод коэффициента увлечения Френеля из теории квантов света» — иллюстри- руют широкий круг его интересов, связанных с новой физикой.

       В.Е. Лашкарёв принимал участие в организации Института физики АН Украины, в котором работал заведующим отделом рентгенофизики в 1929-30 гг. По приглашению академика А. Ф. Иоффе, в 1930 году он переезжает в Ленинград, где на протяжении пяти лет сначала руководит отделом рентгеновских лучей, а потом отделом дифракции электронов в Физико-техническом институте. В этот период В. Е. Лашкарёв выполняет пионерские работы по установлению распределения электронной плотности и потенциала в твердом теле, и написал первую в СССР монографию «Дифракция электронов». За эти работы ему без публичной защиты диссертации была присуждена ученая степень доктора физико-математических наук.

         Одновременно он работает доцентом Ленинградского политехнического института. 

   С 1934 года по 1939 год В. Е. Лашкарёв работал заведующим кафедры физики Архангельского медицинского института, изучая биофизику нервных волокон.

      В 1939 году В.Е. Лашкарёв по приглашению Академии наук УССР возвращается в Киев, где возглавляет отдел полупроводников Института физики Академии наук УССР и кафедру физики Киевского университета. Его научное направление круто изменяется и в 1941 году появляются его классические работы по исследованию запирающего слоя меднозакисных выпрямителей с помощью термозонда, которые привели к открытию р-n-перехода. В. Е. Лашкарёв впервые выяснил роль последнего в вентильном фотоэффекте. Открытие р-n-перехода, который лежит в основе работы широкого класса современных полупроводниковых приборов, в то время опережало развитие технологии германия и кремния, на основе которых затем были созданы полупроводниковые диоды, триоды и интегральные схемы.

        В годы Великой Отечественной войны В. Е. Лашкарёв работал в Уфе и в Москве, куда был эвакуирован Институт физики. Одновременно он возглавлял лабораторию в отраслевом НИИ Министерства электронной промышленности, где работал по оборонной тематике и создал меднозакисные выпрямители для полевых военных радиостанций.

    В 1944 году по приглашению Президента Академии наук УССР, академика A. A. Богомольца, В. Е. Лашкарёв опять возвращается в Киев, а в 1945 году его избирают академиком Академии наук УССР. С 1947 по 1951 год он работал в Президиуме Академии наук УССР, сначала академиком-секретарем Отделения физики, а потом членом Президиума.

        Последующие годы были наиболее плодотворным периодом его творческой деятельности. Был выполнен ряд очень важных работ по фотоэлектродвижущим силам в закиси меди. В. Е. Лашкарёв разработал их теорию и показал, что невентильная электродвижущая сила определяется диффузией неосновных носителей тока, движение которых вызывает биполярную диффузию от освещенного электрода в глубину образца. Была определена роль контактов, характеристики которых определяют знак и величину фото-э.д.с. Он разработал теорию конденсаторной э.д.с. и показал влияниенанееповерхностныхзарядов.Быларазвитатеория нестационарной фотопроводимости; предусмотрена и реализована экспериментально возможность управления ею внешним электрическим полем. При этом были введены общепринятые в настоящее время понятия о растянутой и сжатой полем длине диффузионного смещения. В. Е Лашкарёвым выполнены работы по биполярной проводимости, теоретически рассмотрено явление влияния поля на поджатие носителей тока к одному из контактов и затягивания их вглубь образца. Таким образом, был раскрыт механизм инжекции - важнейшего явления, на основе которого работает большинство полупроводниковых приборов. В.Е. Лашкарёв впервые обнаружил и исследовал суперлинейную фотопроводимость в CdS, а также явление фотоактивации выхода фототока. Идея экситонного механизма фотовозбуждения оказалась весьма плодотворной.

    В 1948 г. Лашкарёвым начаты пионерские исследования поверхностных явлений в полупроводниках, влияние адсорбции газов на поверхностную проводимость и контактную разность потенциалов. Была получена теоретическая зависимость, связывающая работу выхода, изгиб зон, величину поверхностного заряда и изменения продольной проводимости. Эти явления приобретают огромное значения при переходе от дискретных приборов к интегральным микросхемам и созданию химических сенсоров.

    Создание в США транзисторов на основе Gе стимулировало директивные органы Советского Союза поставить задачи по разработке и производству отечественных германиевых транзисторов. К решению этих задач в 1950 г. был привлечен отдел физики полупроводников ИФ АН УССР, во главе с В. Е. Лашкарёвым. Начались комплексные научные исследования в тесном содружестве как с институтами Академии наук СССР, так и с НИИ промышленных министерств электронной промышленности и цветной металлургии. Были разработаны технология роста кристаллов Gе и эффективные методы его очистки и легирования, определены растворимость и коэффициенты диффузии электрически-активных примесей, освоены методы исследования их объемных и поверхностных характеристик, созданы образцы диодов и триодов, освоены методы контроля стабильности параметров полупроводниковых приборов в различных эксплуатационных условиях.  

         В.Е. Лашкарёв возглавлял до 1970 г. В Институт вливаются новые ученые, существенно расширяется его тематика. Вновь усиливается интерес к полупроводникам АПВУ1 и фотоэлектрическим явлениям в них как в теоретических, так и в экспериментальных исследованиях, в которых В. Е. Лашкарёв принимает активное участие.

      В.Е. Лашкарёв уделял большое внимание подготовке научных кадров. С 1944 года он заведовал кафедрой физики в Киевском государственном университете, основал там специализацию «Физика полупроводников», а потом первую в СССР кафедру полупроводников, которой руководил до 1958 года.

        На протяжении ряда лет В. Е. Лашкарёв был главой научного совета союзной Академии наук по проблеме «Физика полупроводников». Занимая эту должность, он очень много сделал для развития науки о полупроводниках в Украине. Одновременно он плодотворно работал в должности главного редактора «Украинского физического журнала».

      В.  Е. Лашкарёв внес неоценимый вклад в становление физики полупроводников как самостоятельной дисциплины. С его именем связано становление и развитие физики и техники полупроводников в Украине. Созданию школы В. Е. Лашкарёва способствовали его талант, широкая эрудиция, глубокое знание физики, быстрая ориентация в ее новых направлениях, огромная личная привлекательность.

      На всех, кому посчастливилось близко знать этого человека, он оказал сильнейшее влияние своей личностью, тонким пониманием физики, быть может, в большей степени, чем прямыми научными рекомендациями и непосредственной помощью в работе.