Advanced performance and scalability of Si nanowire field-effect transistors analyzed using noise spectroscopy and gamma radiation techniques

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Li J., M. V. Petrychuk, Pud S., Offenhäusser A., Danilchenko B.A., Vitusevich S.A. // Journ.Appl.Phys.-2013.-V.114.- N.20.-P.203704-1-10

Навігаційний перегляд пошуку