Vacancy-related defects in ion-beam and electron irradiated 6H-SiC

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

V.Ya. Bratus', T.T. Petrenko, H.J. von Bardeleben, E.V. Kalinina, A. Hallen // Applied Surface Science V. 184, N. 1-4, P. 229-236 (2001)

Навігаційний перегляд пошуку