 |
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine
|
Our design Publications lab33 lab-33-2013 Особенности удельного контактного сопротивления омических контактов к n+-GaNn+-GaAs при низких температурах. А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.Н. Шеремет, А.С. Пилипчук // Материалы 23ей Международной Крымской конференции «СВЧ техника и телекомуникационные технологии» 8-13 сентября 2013г. Севастополь, Крым, Украина, Т.2, С. 747-749. (2013)
