Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InGaAs/GaAs з квантовими точками

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

You are here: Home

О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко, Ю. I. Maзур, Ж. M. Ванг, Г. Дж. Саламo // УФЖ, Т. 56, сс. 944 -952 (2011)

Nav view search