Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур InGaAs/GaAs з квантовими точками

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

Search

You are here: Home

Our design

Publications

lab32

lab-32-before

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур InGaAs/GaAs з квантовими точками

Details: Hits: 2522

О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко, І. А. Гринь, В. В. Стрільчук // УФЖ, Т. 56, cc. 384-391 (2011)

Search

Nav view search

Navigation