О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

You are here: Home

В.П. Кладько, С.В. Пляцко // Физика и техника полупроводников, Том 32, №3, с.261-263, (1998).

Nav view search