- Details
- Hits: 5984
В.П. Кладько, Н.В. Слободян, Л.В. Борковская, А.Н. Ефанов // Металлофизика и новейшие технологии. Т. 29, №10. С.1323-1332, (2007).
 |
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine
|
Search
Nav view search
Navigation
You are here: Home 
Research divisions Publications dep02 dep-02-before Исследование структурно–деформационного состояния InGaAs(Sb,N)/GaAs гетероструктур с квантовыми ямами (X-Ray diffractometric investigations of a strain state of InGaAsSbN/GaAs heterostructures with quantum wells).
Research divisions Publications dep02 dep-02-before Исследование структурно–деформационного состояния InGaAs(Sb,N)/GaAs гетероструктур с квантовыми ямами (X-Ray diffractometric investigations of a strain state of InGaAsSbN/GaAs heterostructures with quantum wells).