Влияние метода утонения подложек на распределение деформационных полей в эпитаксиальных GaAs структурах

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

You are here: Home

В.П. Кладько, Т.Г. Крыштаб, Г.Н. Семенова, Л.С. Хазан, О.С. Башевская // Физика Твердого Тела, Т.33, №11. С.3192-3198 (1991).

Nav view search