- Details
- Hits: 13543
Патент України № 131709 від 25.01.2019, бюл. № 2, Капуш О.А., Будзуляк С.І., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Тріщук Л.І., Томашик В.М., Дремлюженко К.С., Ємець А.І., Джаган В.М., Єрмаков В.М., Косінов О.Г., Кульчицький Б.Н.
V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine |
Патент України № 131709 від 25.01.2019, бюл. № 2, Капуш О.А., Будзуляк С.І., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Тріщук Л.І., Томашик В.М., Дремлюженко К.С., Ємець А.І., Джаган В.М., Єрмаков В.М., Косінов О.Г., Кульчицький Б.Н.