Образование структуры, ответственной за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

И.А.Дроздова, Н.Е.Корсунская, И.В.Маркевич, Е.П.Шульга, М.К.Шейнкман // ФТП.-1991.-Т.25, В.9.-С.1629-1633.

Nav view search