Влияние формирования интерфейса Si/SiOx на люминесцентные характеристики структур Si-SiO2

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

Н.Е. Корсунская, Н.П. Баран, Б.М. Булах, В.П. Папуша, Л.Ю. Хоменкова, В.А. Юхимчук // Известия РАН, Серия Физическая, № 2, C. 223-226 (2003)

Nav view search