Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-2016
Double-gated Si NW FET sensors: Low-frequency noise and photoelectric properties
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 8134
Gasparyan F, Khondkaryan H., Arakelyan A., Zadorozhnyi I., Pud S., Vitusevich S. // J. Appl. Phys.-2016.- V.120.- N.6.-P. 064902-1-8