Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-2016
Interaction of surface plasmon polaritons in heavily doped GaN microstructures with terahertz radiation
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 7468
G. A. Melentev, V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, V. Yu. Panevin, D. A. Firsov, L. Riuttanen, S. Suihkonen, V. V.Korotyeyev, Yu. M. Lyaschuk, V. A. Kochelap, and V. N. Poroshin // J. Appl. Phys. Vol. 119, 093104 (2016)