Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-before
Resistance formation mechanisms for contacts to n-GaN and n-AlN with high dislocation density
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 6225
Sachenko A.V., Belyaev A. E., Boltovets N.S., Zhilyaev Yu.V., Klad’ko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Panteleev V.N., Sheremet V.N. // Phys. Stat. Sol. (C). –2013. – V.10., №3. – P. 498–500