 |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
Наукові відділи Publications dep07 dep-07-before Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation densityA.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Yu.V. Zhilyaev, L.M. Kapitanchuk, V.P. Klad'ko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, A.V. Naumov, V.V. Panteleev, V.N. Sheremet // SEMICONDUCTOR PHYSICS, QUANTUM ELECTRONICS
AND OPTOELECTRONICS, V.15, N.4, p.351 (2012)
