Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep08
dep-08-before
Gate Control of Junction Impact Ionization Avalanche in SOI MISFETs: Theoretical Model
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 7175
V. Dobrovolsky, Fedir Sizov, S. Cristoloveanu // Advanced Materials Research, 276 (Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices), p. 43-49 (2011)