 |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
Наукові відділи Publications dep02 dep-02-2017 Effect of Ge Content on the Formation of Ge Nanoclusters in Magnetron-Sputtered GeZrOx-Based StructuresL. Khomenkova, D. Lehninger, O. Kondratenko, S. Ponomaryov, O. Gudymenko, Z. Tsybrii, V. Yukhymchuk, V. Kladko, J. von Borany and J. Heitmann // Nanoscale Research Letters, V.12: 196 (2017). https://link.springer.com/article/10.1186/s11671-017-1960-9
