Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
lab11-3
lab11-3-before
Effect of current crowding on the ideality factor in MQW InGaN/GaN LEDs on sapphire substrates
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 176
V.K. Malyutenko, S.S. Bolgov// Proc. SPIE 7617, 76171K (2010)