Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
lab11-2
lab11-2-before
Влияние ультразвуковых колебаний допороговой мощности на дислокационную люминесценцию эпитаксиальных слоев SiGe
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 4841
И.А.Буянова, А.У.Савчук, М.К.Шейнкман, А.В.Буянов
//ФТТ.-1994.-Т.36,В.11.-С.3233-3241.