Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
dep01
dep-01-before
Spin relaxation of two-dimensional holes in strained asymmetric SiGe quantum wells
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 6582
B.A. Glavin
and K.W. Kim //
Phys. Rev. B, v.71, N 3,
035321 (2005)