Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
dep12
dep-12-before
Excitonic parameters of InxGa1-xAs-GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 6816
N.M. Litovchenko, D.V. Korbutyak, O.M. Strilchuk// Ukr. J. Phys., Vol. 58, No. 3, p. 260-267 (2013)