Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Розробки
Publications
dep15
dep-15-before
Formation and Annealing of Radiation Damage in Boron Ion Implanted MOS Structures
Прилади
Діагностика
Технологія
Послуги
Деталі
Перегляди: 6797
V.S.Lysenko, and A.N.Nazarov, phys. stat. sol. (a) vol. 52, pp.211-216 (1979)