- Деталі
- Перегляди: 4619
CONTENTS
Academician O.E. Belyaev, Director of V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine. V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine- 58 years in the National Academy of Science of Ukraine
|
5 |
V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko. Semiconductor photovoltaics: сurrent state and actual directions of research
|
13 |
V.I. Chegel, A.M. Lopatynskyi. Molecular plasmonics – a novel research field in materials science and sensing. Applications and theoretical background (review) | 38 |
A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk, S.P. Trotsenko. InAs photodiodes (Review. Part IV)
|
60 |
L.V. Zavyalova, G.S. Svechnikov, N.N. Roshchina, B.A. Snopok. Preparation and characterization of АІ-VІІІВVІ semiconductor films and the functional structures based on them: features and capabilities of the CVD method using dithiocarbamates
|
83 |
L.O. Revutska, Z.L. Denisova, A.V. Stronski. Application of spin-coated chalcogenide films: manufacturing, properties, applicationS (review) |
124 |
V.Morozhenko. Transmission, reflection and thermal radiation of magneto-optical resonator structures in the infrared spectral range: research and application (review)
|
149 |
V.S. Kretulis, I.E. Minakova, P.F. Oleksenko, V.M. Sorokin. Optoelectronic neflometric meter of the atmospheric environment meteoparameters
|
161 |
K.V. Michailovska, В.А. Dan’ko, O.Y. Gudymenko, V.P. Klad’ko, I.Z. Indutnyi, P.E. Shepeliavyi, M.V. Sopinskyy. Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
|
169 |
V.P. Veleschuk, A.I. Vlasenko, Z.K. Vlasenko, D.N. Khmil’, O.M. Kamuz, S.G. Nedilko, V.P. Scherbatsky, D.V. Gnatyuk, V.V. Borshch, M.P. Kisselyuk. The mechanisms of the appearance of visible parasitic luminescence in the ultraviolet LED’s 365 nm
|
181 |
V.P. Maslov, A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, M.Yu. Kravetskii, N.V. Kachur, Ye.F. Venger, A.T. Voroschenko, I.G. Lutsishin, I.M. Matiyuk, A.V. Fedorenko. Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes |
188 |
Ya.M. Olikh, M.D. Tymochko, M.I. Ilashchuk. relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
|
199 |
K.S. Dremliuzhenko, O.A. Kapush, S.D. Boruk,* D.V. Korbutyak. Properties of highly dispersed cadmium telluride systems obtained by electrospray method
|
213 |
K.V. Kostyukevych, Yu.M. Shirshov, R.V. Khristosenko, A.V. Samoylov, Yu.V. Ushenin, S.A.Kostyukevych, A.A. Koptiukh. Angular spectrum peculiarities of surface plasmon-polariton resonance under investigation of latex water suspension in the Kretschmanngeometry
|
220 |
A. Meshalkin, A.P. Paiuk, L.A. Revutska, E. Achimova, A.V. Stronski, A. Prisakar, G. Triduh, V. Abashkin, A. Korchevoy, V.Yu. Goroneskul. Direct surface-relief grating recording using selenium layers
|
240 |
V.F. Onyshchenko, M.I. Karas’. Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
|
248 |
G.PMalanych, V.M. Tomashik. Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates
|
254 |
G.V. Dorozinsky, H.V. Dorozinska, V.P. Maslov. Features of refractometric characteristics of surface plasmon resonance of motor oils for use
|
261 |
N.I. Karas, V.F. Onyshchenko. Monopolar photoconductivity of the inversion layer and “slow”-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
|
268 |
I.E. Matyash, I.A. Minaіlova, O.N. Mishchuk, B.K. Serdega. Component analysis of phonon spectra dychroidism in uniaxially deformed silicon crystal
|
273 |
Information for authors of «Optoelectronics and Semiconductor Technics»
|
282 |
CONTENTS |
284 |
- Деталі
- Перегляди: 43363
The international scientific journal
SPQEO will present a platform for exchange of ideas, opinions and points of view between East and West for new possibilities to make our environment quicker, stronger and more powerful. SPQEO looks its destination in support the Ph.D. students and postdocs in not only such promising areas as semiconductors, quantum electronics and optoelectronics, but in adjacent and adjoining ones as chemistry, biology and information-communication technologies. SPQEO separates papers not only by their scientific directions but by the following headings: Science and Fundamentals SPQEO also accepts information and announcements concerning conferences and seminars on topics related to its scope. We are looking for authors, readers and sponsors to combine common interests and distribute joint initiatives. More information at: www.journal-spqeo.org.ua Communication:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
"OPTOELEKTRONIKA TA NAPIVPROVIDNYKOVA TEKHNIKA" PERIODICITY: 1 issue per year ISSN: 2707-6792 (Online) Viktor Sorokin,corresponding member of the NAS of Ukraine (тел.: 050 358 40 71,
EDITORIAL OFFICE: “Optoelektronikа ta napivprovidnykova tekhnika”, V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, pr. Nauki, 41, Kyiv, 03028, Ukraine. Tel. (380 44) 525 6205, 525 6097, E-mail Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
Publication Ethics and Publication Malpractice Statement
|
|
The international scientific journal “Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics” (SPQEO) is an independent supporter of cooperation and collaboration in the field of: ü semiconductor physics; ü hetero- and low-dimensional structures; ü physics of microelectronic devices; ü linear and nonlinear solid-state optics; ü optoelectronics and optoelectronic devices; ü quantum electronics; ü sensors. Since 2018, SPQEO is renewed in content, design and vision for both basic and applied researches. It gives retrospective in given areas of investigations as well. |
SPQEO looks its destination in enhanced vision of future development and application of materials, technologies and devices in such promising areas as semiconductors, quantum electronics and optoelectronics.
SPQEO will present a platform for exchange of ideas, opinions and points of view between East and West for new possibilities to make our environment quicker, stronger and more powerful.
SPQEO looks its destination in support the Ph.D. students and postdocs in not only such promising areas as semiconductors, quantum electronics and optoelectronics, but in adjacent and adjoining ones as chemistry, biology and information-communication technologies.
SPQEO separates papers not only by their scientific directions but by the following headings:
ü Science and Fundamentals
ü Effects / Technologies / Materials / Diagnostics
ü Convergences of technologies
ü Applications / Achievements / Toward market
ü State-of-the art and Tendencies / View to the future
ü News from laboratories / History / Tutorial
SPQEO also accepts information and announcements concerning conferences and seminars on topics related to its scope.
We are looking for authors, readers and sponsors to combine common interests and distribute joint initiatives.
SPQEO is published quarterly.
More information at: www.journal-spqeo.org.ua
Communication: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
- Деталі
- Перегляди: 24561
Міжнародний науковий журнал
SEMICONDUCTOR PHYSICS, QUANTUM
ELECTRONICS & OPTOELECTRONICS (SPQEO)
Веб-сайт журналу:
www.journal-spqeo.org.ua
публікується щоквартально
Наукові напрямки журналу
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics є міжнародним науковим виданням, яке публікує прикладні та фундаментальні статті та короткі замітки у таких областях, як:
- фізика напівпровідників;
- низьковимірні структури та гетероструктури;
- фізика мікроелектронних приладів;
- лінійна та нелінійна твердотільна оптика;
- оптоелектроніка та оптоелектронні прилади;
- квантова електроніка;
- сенсори.
Індексування у наукометричних базах
Всі матеріали, видані у журналі "Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics", починаючи із Номеру 6, #4, 2003, представлені у 32 наукометричних базах.
Інформація для аспірантів та докторантів із України. Журнал SPQEO включений до Переліку наукових фахових видань України, в яких можуть публікуватися результати дисертаційних робіт на здобуття наукових ступенів доктора і кандидата наук.
Інформація для авторів
- Правила подачі та оформлення статей для авторів
- Форма передачі видавницьких прав
- Publication ethics and publication malpractice statement
Статті необхідно надсилати за адресою: Редакція журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics", Інститут фізики напівпровідників НАН України, проспект Науки 41, 03028 Київ, Україна. Телефон: +380 (44) 525 6205, Факс: +380 (44) 525 5430.
E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
Редакційна колегія
Головний редактор:
О. Є. Бєляєв, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ
Заступники головного редактора:
В. П. Кладько, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ
В. А. Кочелап, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ
М.В. Стріха, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ
Виконавчий секретар:
А. А. Кудрявцев, Інститут фізики напівпровідників НАНУ, Київ
Відповідальний редактор:
П. С. Смертенко, Інститут фізики напівпровідників НАНУ, Київ
Підписка на журнал
Ви можете підписатися на друковану версію журналу (ISSN 1560-8034; підписний індекс 22779) чи замовити CD-ROM із усіма випусками журналу та можливістю пошуку (ISSN 1606-1365). Для більш детальної інформації, будь-ласка, зв'яжіться із виконавчим секретарем.
Архіви журналу
Архіви статей доступні на веб-сайті журналу.
Переглянути архіви
- Деталі
- Перегляди: 15712
Міжнародний науковий журнал SPQEO бачить своє призначення у розширеному баченні майбутнього розвитку та застосування матеріалів, технологій та пристроїв у таких перспективних областях, як напівпровідники, квантова електроніка та оптоелектроніка. SPQEO являє собою платформу для обміну ідеями, думками та точками зору між Сходом та Заходом для створення нових можливостей зробити наше оточення більш швидким, більш сильним та більш потужним. SPQEO бачить своє призначення у підтримці аспірантів та молодих учених не тільки у таких багатообіцяючих областях, як напівпровідники, квантова електроніка та оптоелектроніка, але й у суміжніх областях: хімія, біологія, інформаційно-комунікаційні технології тощо. SPQEO класифікує статті не тільки за їх науковими напрямами, але й за наступними рубриками: Наука та засадничі принципи SPQEO також приймає інформацію та об’яви про конференції та семінари за темами, які пов’язані з напрямками журналу. Ми запрошуємо до співпраці авторів, читачів та спонсорів для поєднання спільних інтересів та розповсюдження спільних ініціатив. SPQEO видається щоквартально. Більше інформації на сайті: www.journal-spqeo.org.ua Контакти: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
Збірник наукових праць
“Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка”
РІК ЗАСНУВАННЯ: 1982
МОВА: українська, англійська;
ISSN: 2707-6806 ISSN: 2707-6792 (Online)
ЗАСНОВНИКИ: НАН України,
ГОЛОВНИЙ РЕДАКТОР: член-кореспондент НАН України Сорокін Віктор Михайлович тел.: 050 358 40 71, E-mail:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
АДРЕСА РЕДАКЦІЇ: 03028, Київ, пр. Науки, 41, ПРОБЛЕМАТИКА ЗБІРНИКА:
|