Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Гайдар Г.П., Баранський П.І., Коломоєць В.В. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014.- т.15, №1, с.58-62

Навігаційний перегляд пошуку