Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
Відділ оптоелектроніки
Відділ фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки
Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики
Лабораторія нетрадиційних та відновлювальних джерел енергії
Лабораторія фізики адсорбційних та поверхневих ефектів в напівпровідникових і тонких плівках
Відділ фізики оптоелектронних приладів
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 4824
В.Д.Бондар, А.Б.Лыскович И.В.Маркевич, М.К.Шейнкман//ФТТ.-1993.-Т.35,В.7.-С.1847-1851.