Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Квантові точки CdS в полімерній матриці

№47 Відділ напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання
   Д.В. Корбутяк

004

Отримано та досліджено квантові точки CdS в полімерній матриці, синтезовані при різних температурних режимах. Присутність двох піків в спектрах фотолюмінесценції відповідає двом різним структурним модифікаціям CdS: гексагональної в’юрцитної та кубічної структури цинкової обманки. Вклад кожної із структур визначається умовами синтезу, а саме температурою.
Отримано значення середнього розміру частинок: при 40 °С середній розмір частинок становить 2,0 нм, при 50 °С – 3,0 нм.


Області застосування: опто- та наноелектроніка:
•    світлодіоди;
•    сонячні елементи;
•    лазери;
•    одноелектронні транзистори.