V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

Search

A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. P. Klad’ko,N. V. Safryuk-Romanenko,A. I. Lubchenko, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko, A. S. Slepova, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, A. S. Pilipchuk, R. V. Konakova, A. V. Sachenko. Semiconductors, Vol.53, Issue 4, P.469–476 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063782619040055

O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, H.V. Stanchu, T.M. Sabov, V.P. Mel'nik, S.B. Kryvyi, A.Ye. Belyaev. // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, V.22, Issue 1, P.119-129 (2019). https://doi.org/10.15407/spqeo22.01.119

A.V Pashchenko,N.A Liedienov, Quanjun Li, D.D. Tatarchuk, V.A. Turchenko, I.I. Makoed, V.Ya. Sycheva, A.V. Voznyak, V.P. Kladko, A.I. Gudimenko, Y.V. Didenko, A.T. Kozakov, G.G. Levchenko. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, V.483, P.100-113 (2019). https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.03.095

T.L. Petrenko, V.P. Bryksa, I.V. Dyka, V.P. Kladko, A.E. Belyaev, A.V. Kuchuk. // Applied Surface Science, V.483, P.302-312 (2019). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.03.239

А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.П. Кладько, Н.В. Сафрюк-Романенко, A.И. Любченко, В.М. Шеремет, В.В. Шинкаренко, А.С. Слепова, В.А. Пилипенко, Т.В. Петлицкая, А.С. Пилипчук, Р.В. Конакова, А.В. Саченко. // Физика и техника полупроводников, V.53, Issue 4, P.485-492 (2019). http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47445.9012

M.I. Fedorchenko, P.V. Melnik, M.G. Nakhodkin, O.I. Gudymenko, V.P. Kladko and P.M. Lytvyn. // Surface Review and Letters, V.26, P.01-10 (2019). https://doi.org/10.1142/S0218625X19500896

N. Korsunska, L. Borkovska, Yu. Polischuk, O. Kolomys, P. Lytvyn, I. Markevich, V. Strelchuk, V. Kladko, O. Melnichuk, L. Melnichuk, L. Khomenkova, C. Guillaume, X. Portier // Materials Science in Semiconductor Processing,  V.94, P.51-56 (2019). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.01.041

Oleksii I. Liubchenko, Vasyl P. Kladko, Tomash M. Sabov, Oleksandr V. Dubikovskyi // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, V.30, Issue 1, P.499-507 (2019). https://doi.org/10.1007/s10854-018-0315-3