- Details
- Hits: 5081
Г.П. Маланич, В.М. Томашик, З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, П.М. Литвин, О.С. Литвин, О.І. Копил // Патент на корисну модель № 95348. (Бюл. 25.12.2014)
- Details
- Hits: 4950
О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, А.О. Курик // Патент на корисну модель № 92850. (Бюл. 10.09.2014)
- Details
- Hits: 5053
О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, Л.А. Демчина, А.О. Курик // Патент на корисну модель № 88968. (Бюл. 10.04.2014)
- Details
- Hits: 6059
А.Т. Ворощенко, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук // Патент на корисну модель № 91417. (Бюл.10.07.2014)
- Details
- Hits: 5965
О.А. Капуш, Л.И. Трищук, В.Н. Томашик, З.Ф.Томашик // Неорган. материалы, Т. 50, № 1, С. 18-23, (2014)
- Details
- Hits: 5779
V. Tomashyk // London : Taylor & Francis, 512 p (2014)
- Details
- Hits: 5633
A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 17, №3, P.268–271, (2014)
- Details
- Hits: 4787
V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, N.M. Krolevec // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 17, №3, P.291–294, (2014)
- Details
- Hits: 4518
A. Sukach, V. Tetyorkin, A. Voroschenko, A. Tkachuk, M. Kravetskii, I. Lucyshyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics &Optoelectronics, Vol. 17, №4, P.486–491, (2014)
- Details
- Hits: 4590
О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, С.І. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, А.О. Курик // Патент на корисну модель № 86545. (Бюл. 10.01.2014)
- Details
- Hits: 4499
В.М. Томашик, А.С. Станецька, З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, С.І. Будзуляк, С.М. Калитчук, С.М. Галкін // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 14, № 4, С. 840-846, (2013)
- Details
- Hits: 4480
О.А. Капуш, Л.І. Тріщук, В.М. Томашик, І.О. Мазарчук, З.Ф. Томашик, А.О. Курик, С.І. Будзуляк // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 14, № 3, С. 610-614. (2013)
- Details
- Hits: 6862
Detector of THz/subTHz radiation

- Spectral region: ~30-300 GHz;
- Operating temperature: T = 300 K;
- Noise equivalent power: NEP140 GHz ~3-5*10-10 W/Hz1/2;
- Sensitive area: S ~40x40 mkm2 (without antenna) and S ~2x2 mm2 (with antenna);
- Responce time: 10-7 s;
- Signal at detector output: 2.5 V;
- Dimensions: 50x90 mm;
- Diameter of focused spot (DAiry(140 GHz)): ~ 5 mm.
- Details
- Hits: 5613
D. Lehninger, L. Khomenkova, C. Röder, G. Gärtner, J. Beyer, F. Schneider, V. Klemm, D. Rafaja, J. Heitmann // ECS Transactions. – 2015. - Vol. 68(4). - P. 203-212.
- Details
- Hits: 5720
Томашик З.Ф., Томашик В.Н. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.20, № 4, С. 568-570, (1984)
- Details
- Hits: 5730
Томашик З.Ф., Томашик В.Н. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.23, № 12, С. 1981-1984, (1987)
- Details
- Hits: 5593
Томашик З.Ф. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, Т.17, № 9, С. 1575-1574, (1981)
- Details
- Hits: 5821
Грыцив В.И., Венгель П.Ф., Томашик З.Ф., Томашик В.Н. // Неорган. материалы, Т.30, № 3, С. 346-349, (1994)
- Details
- Hits: 6837
Томашик В.Н., Панчук О.О., Сава АА., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.31, № 9, С. 1241-1244, (1995)
- Details
- Hits: 5816
Томашик В.Н., Панчук О.О., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.31, № 8, С. 1023-1026, (1995)
- Details
- Hits: 5647
Томашик В.Н., Томашик З.Ф. // Неорган. материалы, Т.30, № 12, С. 1498-1503, (1994)
More Articles...
- Жидкофазное травление полупроводниковых соединений типа AIIBVI и физико-химические процессы на границе раздела (обзор)
- Взаимодействие теллура и теллурсодержащих полупроводниковых соединений с растворами системы HJ–HNO3–H2O
- Состав поверхностных слоев, образующихся при растворении CdTe в кислотных травителях
- Химическое травление полупроводниковых соединений типа AIIBVI