- Деталі
- Перегляди: 2778
Власенко А.И., Орлецкий В.Б., Любченко А.В., Прокопчук Л.Ф., Сальков Е.А. // Матер. IV Всесоюзного симпозиума “Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы”.- Часть IV.- Львов.- 1975.- C. 75-77.
- Деталі
- Перегляди: 2714
Власенко А.И., Зубаков А.В., Любченко А.В., Прокопчук Л.Ф., Сальков Е.А. // Матер. IV Всесоюзного симпозиума “Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы”.- Часть III.- Львов.- 1975.- С. 9.
- Деталі
- Перегляди: 2713
Власенко А.И., Гаврилюк Ю.Н., Любченко А.В., Сальков Е.А., Тузовский А.М. // Тезисы докладов республ. конф. (Ужгород, ноябрь 1979г) “Фотоэлектрические явления в полупроводниках”.- Киев: Наукова думка.- 1979.- С.71-72.
- Деталі
- Перегляди: 2919
Власенко А.И., Гаврилюк Ю.Н., Любченко А.В., Сальков Е.А. // Тезисы докладов республ. конф. (Ужгород, ноябрь 1979г) “Фотоэлектрические явления в полупроводниках”.- Киев: Наукова думка.- 1979.- С.71-72.
- Деталі
- Перегляди: 2696
Власенко А.И., Гаврилюк Ю.Н., Любченко А.В., Сальков Е.А. // Физика и техника полупроводников.- 1979.- Т. 13, №11.- С.2180-2185.
- Деталі
- Перегляди: 2666
Власенко А.И., Гаврилюк Ю.Н., Латута В.З., Любченко А.В., Сальков Е.А. // Письма ЖТФ.- 1979.- Т.5, №16.- С.1013-1017.
- Деталі
- Перегляди: 3075
Власенко А.И., Любченко А.В., Сальков Е.А.// Матер. VВсесоюзн. симпоз. “Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы”.-Часть I.-Львов.-1980.-С.120-122.
- Деталі
- Перегляди: 2631
Власенко А.И., Любченко А.В., Сальков Е.А. // Украинский физический журнал.- 1980.- Т. 25, №8.- С.1317-1323.
- Деталі
- Перегляди: 2539
Власенко А.И., Зубаков А.В. // Приборы и техника эксперимента.- 1980.-№2.- С. 199-201.
- Деталі
- Перегляди: 3069
Власенко А.И., Любченко А.В., Сальков Е.А.// Украинский физический журнал.- 1980.- Т. 25, №3.- С.434-441.
- Деталі
- Перегляди: 2598
Власенко А.И., Мацас Е.П., Любченко А.В. Сальков Е.А., Саченко А.В. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника.- 1981.- №33.- С.67-73.
- Деталі
- Перегляди: 2480
Мацас Е.П., Власенко А.И., Сальков Е.А., Снитко О.В., Любченко А.В. // Украинский физический журнал.- 1981.- Т. 26, №4.- С.670-671.
- Деталі
- Перегляди: 2420
Власенко А.И., Курбанов К.Р., Любченко А.В., Сальков Е.А. // Украинский физический журнал.- 1982.- Т. 27, №9.- С.1392-1396.
- Деталі
- Перегляди: 2718
Дехтяр И.Я., Дехтяр М.И., Дякин В.В., Заитов Ф.А., Власенко А.И., Лихторович С.П., Любченко А.В., Сахарова С.Г., Силантьев В.И., Федченко Р.Г. // Физика и техника полупроводников.- 1984.- Т. 18, №11.- С.1970-1974.
- Деталі
- Перегляди: 2728
Власенко А.И., Горбунов В.В., Любченко А.В. // Украинский физический журнал.- 1984.- Т. 29, №3.- С.423-428.
- Деталі
- Перегляди: 2669
Богославский Г.Е. Винецкий В.Р., Власенко З.К., Голубев Ю.В., Зеленский В.С., Сафонов В.Р. // Измерительная техника.- 1986, №6.- С.12-15.
- Деталі
- Перегляди: 2719
Богославский Г.Е., Власенко З.К., Сафонов В.Р. // Тезисы докладов IV Всеакад. школы по проблемам стандартизации и метрологии. – Тбилиси: Изд-во АН Груз. ССР. – 1986.
- Деталі
- Перегляди: 2747
Богославский Г.Е.., Власенко З.К. // Тезисы докладов V Всеакадемической школы по проблемам стандартизации и метрологии. – Ереван: Изд-во АН Армянской ССР. – 1987. – С. 119-121.
- Деталі
- Перегляди: 2583
Борщ В.В., Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е. // Тез. Докл. I межвузовской конференции «Материаловедение и физика полупроводниковых фаз переменного состава». - Нежин.- 1991.-С.14.
- Деталі
- Перегляди: 2761
Байдулаева А., Даулетмуратов Б.К., Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е. // Физика и техника полупроводников.- 1993.- Т. 27, №1.- С.56-59.
- Деталі
- Перегляди: 2558
Борщ В.В., Власенко А.И., Гнатюк В.А., Копишинская Е.П., Лукьяненко В.И., Мозоль П.Е., Сукач А.В. // Материалы международной конференции по электронным материалам «Процессы синтеза и роста полупроводниковых и родственных материалов, создание структур на их основе».- Новосибирск.- 1992.- С.37-38.
Більше статей...
- Особенности лазерной обработки эпитаксиальных слоев CdхHg1-хTe
- Низкотемпературное легирование p- CdTeпримесью галлия
- Влияние процессов взаимного легирования на фотоэлектрические свойства поликристаллических слоев CdхHg1‑хTe, выращенных на подложках GaAs
- Изменение электрофизических свойств полупроводника CdTe под воздействием ударной волны