Механизм образования проводящих каналов в кристаллах CdS под действием электрического поля

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

И.А.Дроздова, Б.Е.Ембергенов, Н.Е.Корсунская, И.В.Маркевич, А.Ф.Сингаевский // ФТП.-1995.-Т.29,В.3.-С.536-542.

Nav view search